三星超臺積電率先量產3nm芯片
就在昨天霍爾元件 等芯片晶圓代工行業巨頭，三星電子傳來消息，三星將在下周全球率先量產3nm芯片
韓聯社6月22日報道稱，消息人士透露，三星將在下周對外公布，率先量產環繞閘極技術(GAA，Gate-all-around)架構的3nm制程。3nm芯片確定量產后，三星電子將在先進芯片制造技術方面超越競爭對手臺積電。
實際上，6月21日韓國媒體BusinessKorea就曾報道稱，由于良率遠低于目標，三星3納米芯片量產將再延后。但22日上午，三星否認了這一傳言。
5月20日，美國總統拜登訪韓，三星電子展示GAA 3nm制程技術
據悉，GAA工藝與現有的FinFET工藝相比，可減少芯片面積和消耗的電力，更加準確地控制電流。目前FinFET工藝僅能接觸到晶體管的三面，GAA工藝對半導體晶體管結構進行改進，使柵極可接觸到晶體管的四面。
此外，與5納米工藝相比，三星3納米工藝將半導體性能和電池效率分別提高了15%和30%，同時芯片面積減少了35%。
韓美兩國領導人簽署的3納米半導體晶圓原型，圖源：韓聯社
此前TrendForce的研究數據顯示，三星電子2022年第一季度的代工銷售額為53.28億美元，較去年第四季度下降3.9%，也是全球前十大代工廠中唯一一家在第一季度銷售額落后的廠商。
業界相關人士稱，三星量產基于GAA工藝的3納米芯片后，若能保持穩定的良品率，晶圓代工市場的版圖或將重新改寫。
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