霍爾元件是應用霍爾效應的半導體
霍爾元件可用多種半導體材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導體異質結構量子阱材料等等.
霍爾元件是一種基于霍爾效應的磁傳感器。用它們可以檢測磁場及其變化，可在各種與磁場有關的場合中使用。
霍爾元件件具有許多優點，它們的結構牢固，體積小，重量輕，壽命長，安裝方便，功耗小，頻率高(可達1MHZ)，耐震動，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。
霍爾電位差 UH 的基本關系為
UH=RHIB/d (18)
RH=1/nq(金屬) (19)
式中 RH--霍爾系數:
n--單位體積內載流子(自由電子和空穴)的個數
q--電子電量;
I--通過的電流;
霍爾元件
霍爾元件
B--垂直于I的磁感應強度;
d--導體的厚度。
對于半導體和鐵磁金屬，霍爾系數表達式與式(19)不同，此處從略。
由于通電導線周圍存在磁場，其大小與導線中的電流成正比，其優點是不與被測電路發生電接觸，不影響被測電路，不消耗被測電源的功率，特別適合于大電流傳感。
利用這種方法可以構成霍爾功率傳感器。
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