美國允許三星、SK海力士和臺積電在中國大陸擴建
目前(qian),領先的芯片制(zhi)造商將能(neng)夠(gou)升級(ji)他們在中國大(da)陸的晶(jing)圓廠。
據(ju)《華爾街日(ri)報》 援引(yin)美國(guo)商(shang)(shang)務部官員(yuan)的(de)(de)報道稱(cheng),美國(guo)政府將允許頂級芯片制造商(shang)(shang)三(san)星、SK 海(hai)力士和(he)臺積電保留和(he)擴建其在中(zhong)國(guo)大(da)陸(lu)現有的(de)(de)內(nei)存和(he)邏(luo)輯工(gong)廠。 如果信息正確,那么這三(san)家公司將能夠(gou)從美國(guo)制造商(shang)(shang)那里為他們在中(zhong)國(guo)大(da)陸(lu)的(de)(de)晶圓廠購買新的(de)(de)晶圓廠工(gong)具,但有一個問(wen)題。
美國(guo)商務(wu)部負(fu)責工業(ye)和(he)安全(quan)的副部長艾倫·埃斯特維茲 (Alan Estevez) 透露,政(zheng)府(fu)計劃繼(ji)續(xu)對韓國(guo)和(he)中(zhong)國(guo)臺灣芯(xin)片制造商實施現行(xing)豁免,這些(xie)豁免與旨在限制中(zhong)國(guo)大陸(lu)半(ban)導體行(xing)業(ye)能力的最新美國(guo)出口管制規則 有關。這些(xie)最初于(yu)去年 10 月授予的豁免將于(yu)今年 10 月到(dao)期(qi)。
出(chu)席討論(lun)的(de)(de)人士表示(shi),Estevez 在與半導體行業協會的(de)(de)討論(lun)中做出(chu)了確認,稱豁免預計(ji)將在“可(ke)預見的(de)(de)未來”持續存在。然而,商務部(bu)選擇拒絕就此事發(fa)表任(ren)何(he)額(e)外評(ping)論(lun)。

美國的(de)晶(jing)(jing)圓廠設備 (WFE) 制造商必須先獲得商務部的(de)出口(kou)許(xu)可(ke)證(zheng),才能出口(kou)能夠生產在 10nm/14nm/16nm 或(huo)更(geng)小節(jie)點上使(shi)用非平面晶(jing)(jing)體管(guan)的(de)邏輯芯片、具(ju)(ju)有 128的(de)3D NAND芯片的(de)工具(ju)(ju)或(huo)更(geng)多層,以及半間距為18nm或(huo)更(geng)小的(de)DRAM IC,供(gong)中國客戶(hu)使(shi)用。
三(san)星、SK 海力士和(he)臺積(ji)(ji)電(dian)等芯(xin)片(pian)制造商必須經常升級他們(men)(men)的晶圓(yuan)廠,以保持其產(chan)品的競(jing)爭力。這三(san)家公(gong)司都獲(huo)得了美國(guo)(guo)政府的豁免(mian),允許他們(men)(men)在(zai) 2022 年(nian)(nian) 10 月至 2023 年(nian)(nian) 10 月期間(jian)向中(zhong)國(guo)(guo)大陸出口必要的生(sheng)產(chan)設(she)備,并有可能將(jiang)豁免(mian)再延(yan)長一年(nian)(nian)。顯(xian)然,美國(guo)(guo)政府現(xian)在(zai)愿意(yi)允許三(san)星、SK 海力士和(he)臺積(ji)(ji)電(dian)在(zai) 2024 年(nian)(nian) 10 月之后為其在(zai)中(zhong)國(guo)(guo)大陸的半導體(ti)生(sheng)產(chan)設(she)施獲(huo)得美國(guo)(guo)晶圓(yuan)廠工具。
但是,讓我們開始吧。根據美國(guo) CHIPS 和(he)科學(xue)法(fa)案獲(huo)(huo)得(de)國(guo)家資(zi)助(zhu)的(de)條件將 禁止 受益公司(si)(si)(si)投資(zi)其(qi)位于中國(guo)大(da)陸(lu)(lu)的(de)晶圓廠。這項政策(ce)可能會對三星、SK 海力士和(he)臺積電等(deng)公司(si)(si)(si)產(chan)生(sheng)深遠影響(xiang),這些(xie)公司(si)(si)(si)在中國(guo)大(da)陸(lu)(lu)經營著重(zhong)要的(de)設(she)施,并且是美國(guo)資(zi)助(zhu)的(de)潛(qian)在申(shen)請者。根據目(mu)前(qian)的(de)條款,如果這些(xie)公司(si)(si)(si)中的(de)任何一家獲(huo)(huo)得(de) CHIPS 資(zi)金,他們將無法(fa)在 10 年(nian)內(nei)投資(zi)擴建或升(sheng)級其(qi)在中國(guo)大(da)陸(lu)(lu)的(de)晶圓廠。
目前(qian),SK海力士是中國大(da)陸少數幾(ji)個DRAM生產商之一。目前(qian)還不清楚它在那里使(shi)用了哪些生產技術(shu)。據 TrendForce 稱,三(san)星和SK海力士都在中國大(da)陸使(shi)用其 128 層工藝制造(zao) 3D NAND。與(yu)此同時,臺(tai)積電位于中國南京的Fab 16 在該公司(si)的16納米(mi)FinFET節(jie)點上生產芯(xin)片。
目前(qian),16nm FinFET 和(he) 128 層 3D NAND 制造(zao)工藝具(ju)有(you)競爭(zheng)力。但在某個時候(hou),它們(men)將變(bian)得過(guo)時,如果那里的芯片制造(zao)商不(bu)能根(gen)據與美國政府的協議投資升級他(ta)們(men)的中國大陸晶圓廠(chang),他(ta)們(men)將不(bu)得不(bu)做(zuo)出戰略決策,如果贈款條(tiao)款符合籌(chou)碼法案(an)沒有(you)改變(bian)。