制作霍爾元件的小知識，看過來
為了提高霍爾元件的穩定性和可靠性，在制備過程中，需要對其進行鈍化。傳統的鈍化工藝，一般采用PECVD方法生長S12或Si3N4來進行鈍化。在鈍化過程中，等離子體會對材料表面產生損傷，從而導致損傷部位產生缺陷，缺陷會導致電子傳輸的不均勻，從而引起不平衡電壓增大。另一方面，這些缺陷會隨著溫度及電場等外部條件的變化而變化，嚴重影響霍爾元件的穩定性和可靠性下降，不利于霍爾元件的長期使用。
對于半導體突變異質結，由于導帶底能量突變量的存在，則在界面附近出現有“尖峰”和“凹口”；實際上，對異質結中導帶電子的作用而言，該“尖峰”也就是電子的勢皇，“凹口”也就是電子的勢阱，如果“凹口”的勢阱足夠大，則其中的電子只能在勢阱中沿著平面的各個方向運動，即為二維運動的電子，形成二維電子氣。
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